深圳MT8006

MT8006是一種基于P_subP_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動電路。浮動溝道驅動器可獨立驅動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT。Ich可操作多達300 V邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅動程序具有高脈沖電流緩沖級，用于最小驅動程序c。Ross-導通。傳播延遲匹配以簡化高頻應用中的使用。它有兩個版本MT8006A和MT8006B。