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陜西開(kāi)爾文測(cè)控技術(shù)有限公司

聯(lián)系人：杜浩晨
官網(wǎng)地址：www.kewtest.cn
經(jīng)營(yíng)模式：制造商
主營(yíng)產(chǎn)品：IGBT測(cè)試儀,IGBT測(cè)試系統(tǒng),半導(dǎo)體器件測(cè)試儀,軌道交通IGBT測(cè)試儀
所在地：陜西省#陜西省陜西省西安市高新區(qū)工業(yè)園發(fā)展大道26號(hào)
供應(yīng)產(chǎn)品：55

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碳化硅（SiC）器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

碳化硅（SiC）器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)本測(cè)試系統(tǒng)具有高測(cè)試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管、MOSFET器件開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間、反向電流及反向恢復(fù)電荷

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陜西碳化硅器件測(cè)試儀

陜西碳化硅器件測(cè)試儀1、設(shè)備功能適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

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西安靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

西安靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商技術(shù)特征采用32位嵌入式計(jì)算機(jī)，運(yùn)行速度快，擴(kuò)展能力強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行采用高速16位并行D/A、A/D和專(zhuān)用并行內(nèi)部總線技術(shù)設(shè)計(jì)，速度快、穩(wěn)定性高采用脈沖法測(cè)試參數(shù)

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陜西半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

陜西半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家1、設(shè)備功能適用于二極管、三極管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT、整流橋、可控硅、光耦等十三大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試 2、運(yùn)行條件溫度：25

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晶體管測(cè)試儀|晶體管測(cè)試儀

晶體管測(cè)試儀|晶體管測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù) 系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)列表如下：主極電壓 2000V(加選件可擴(kuò)展至3300V) 主極電流 50A(加選件可擴(kuò)展到100

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雪崩測(cè)試儀供應(yīng)商

雪崩測(cè)試儀供應(yīng)商一、概述用于二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流可達(dá)到200A，雪崩電壓測(cè)試可達(dá)到5000V。設(shè)備滿(mǎn)足電壓在5000V及以下范圍內(nèi)二極管、

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三極管測(cè)試儀服務(wù)

三極管測(cè)試儀服務(wù)1、設(shè)備功能適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

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碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。主要技術(shù)參數(shù)：IGBT 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試????????????????????????????????????

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西安動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀銷(xiāo)售

西安動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀銷(xiāo)售適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。主要技術(shù)參數(shù)：IGBT 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試????????????????????????????????????????

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分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。主要技術(shù)參數(shù)：IGBT 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試???????????????????????????????????????

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半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)商

半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)商適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。主要技術(shù)參數(shù)：IGBT 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試?????????????????????????????????

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西安功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

西安功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。主要技術(shù)參數(shù)：IGBT 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試??????????????????????????????????????

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功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試<p> 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。<br/>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>

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陜西碳化硅測(cè)試儀器生產(chǎn)商

陜西碳化硅測(cè)試儀器生產(chǎn)商<p>適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。<br/>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件

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碳化硅器件測(cè)試銷(xiāo)售

碳化硅器件測(cè)試銷(xiāo)售<p>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件<br/>Ic：50A～1000A  &a

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